近年來，面對持續(xù)高漲的芯片需求，半導體行業(yè)生產(chǎn)迎來了高難度挑戰(zhàn)——對芯片工藝要求更精細，從5nm到3nm，甚至是2nm。“先進封裝"的提出，是對技術(shù)的新要求，也是對封裝工藝中材料和設備的全新考驗。

芯片身上布控著幾千萬根晶體管，而晶體管越小，可放置的晶體管越多，性能也將越高。芯片的進化就是晶體管變小的過程。晶體管密度更大、占用空間更少、性能更高、功率更低，但挑戰(zhàn)也越來越難以克服。小尺寸下，芯片物理瓶頸越來越難以克服。尤其在近幾年，先進節(jié)點走向10nm、7nm、5nm......白光3D輪廓測量儀適配芯片制造生產(chǎn)線，致力于滿足時下半導體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導體行業(yè)發(fā)展。

W1白光3D輪廓測量儀X/Y方向標準行程為140*100mm，滿足晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動化檢測、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺階高、彈坑等微納米級別精度的測量。

臺階高精確度：0.3%

臺階高重復性：0.08 % 1σ

縱向分辨率：0.1nm

RMS重復性：0.005nm

橫向分辨率（0.5λ/NA）：0.5um~3.7um

特點：粗糙度測量、彈坑測量、測量尺寸6英寸以下。

W3白光3D輪廓測量儀X/Y方向標準行程為300*300mm，超大規(guī)格平面、兼容型12英寸真空吸附盤能檢測12寸及以下尺寸的Wafer；氣浮隔振設計&吸音材質(zhì)隔離設計，確保儀器在千級車間能有效濾除地面和聲波的振動干擾，穩(wěn)定工作；自動化測量半導體晶圓。

半導體領(lǐng)域?qū)ｍ椆δ?/span>

1.同步支持6、8、12英寸三種規(guī)格的晶圓片測量，一鍵即可實現(xiàn)三種規(guī)格的真空吸盤的自動切換以配適不同尺寸晶圓；

2.具備研磨供以后減薄片的粗糙度自動測量功能，一鍵可測量數(shù)十個小區(qū)域的粗糙度求取均值；

3.具備劃片工藝中激光鐳射開槽后的槽道深寬輪廓數(shù)據(jù)測量功能，可以一鍵實現(xiàn)槽道深寬相關(guān)的面和多條剖面線的數(shù)據(jù)測量與分析；

4.具備晶圓制造工藝中鍍膜臺階高度的測量，覆蓋從1nm~1mm的測量范圍，實現(xiàn)高精度測量。

W3白光3D輪廓測量儀測量12英寸硅晶圓